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IRF8010STRLPBF中文资料

IRF8010STRLPBF图片

IRF8010STRLPBF外观图

  • 大小:226.7KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: MOSFET, N, 100V, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):15mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Cont Current Id @ 100°C:57A; Cont Current Id @ 25°C:80A; Current Id Max:80A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:260W; Pulse Current Idm:320A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:100V; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Vo...
  • 标准包装:800
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:80A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:15 毫欧 @ 45A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:120nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:3830pF @ 25V
  • 功率 - 最大:260W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装:D2PAK
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRF8010STRLPBF-NDIRF8010STRLPBFTR

IRF8010STRLPBF供应商

更新时间:2023-01-10 17:29:42
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